Çipiň bes edilmegi
Esasy tehniki aýratynlyklar :
Bahalandyrylan güýç : 10-500W ;
Substrat materiallar : BeO 、 AlN 、 Al2O3
Nominal garşylyk bahasy : 50Ω
Garşylyga çydamlylyk : ± 5% 、 ± 2% 、 ± 1%
emperatura koeffisiýenti : p 150ppm / ℃
Işleýiş temperaturasy : -55 ~ + 150 ℃
ROHS standarty: laýyk gelýär
Ulanylýan standart: Q / RFTYTR001-2022
Kuwwat(W) | Quygylyk | Ölçegleri (birlik: mm) | SubstratMaterial | Sazlama | Maglumat sahypasy (PDF) | ||||||
A | B | C | D | E | F | G | |||||
10W | 6 GGs | 2.5 | 5.0 | 0.7 | 2.4 | / | 1.0 | 2.0 | AlN | 2-nji surat | RFT50N-10CT2550 |
10 GGs | 4.0 | 4.0 | 1.0 | 1.27 | 2.6 | 0.76 | 1.40 | BeO | 1-nji surat | RFT50-10CT0404 | |
12W | 12 GGs | 1.5 | 3 | 0.38 | 1.4 | / | 0.46 | 1.22 | AlN | 2-nji surat | RFT50N-12CT1530 |
20W | 6 GGs | 2.5 | 5.0 | 0.7 | 2.4 | / | 1.0 | 2.0 | AlN | 2-nji surat | RFT50N-20CT2550 |
10 GGs | 4.0 | 4.0 | 1.0 | 1.27 | 2.6 | 0.76 | 1.40 | BeO | 1-nji surat | RFT50-20CT0404 | |
30W | 6 GGs | 6.0 | 6.0 | 1.0 | 1.3 | 3.3 | 0.76 | 1.8 | AlN | 1-nji surat | RFT50N-30CT0606 |
60W | 6 GGs | 6.0 | 6.0 | 1.0 | 1.3 | 3.3 | 0.76 | 1.8 | AlN | 1-nji surat | RFT50N-60CT0606 |
100W | 5 GGs | 6.35 | 6.35 | 1.0 | 1.3 | 3.3 | 0.76 | 1.8 | BeO | 1-nji surat | RFT50-100CT6363 |
Çipiň bes edilmegi
Esasy tehniki aýratynlyklar :
Bahalandyrylan güýç : 10-500W ;
Substrat materiallar : BeO 、 AlN
Nominal garşylyk bahasy : 50Ω
Garşylyga çydamlylyk : ± 5% 、 ± 2% 、 ± 1%
emperatura koeffisiýenti : p 150ppm / ℃
Işleýiş temperaturasy : -55 ~ + 150 ℃
ROHS standarty: laýyk gelýär
Ulanylýan standart: Q / RFTYTR001-2022
Satyjy bilelikdäki ululyk: spesifikasiýa sahypasyna serediň
(müşderiniň talaplaryna laýyklykda düzülip bilner)
Kuwwat(W) | Quygylyk | Ölçegleri (birlik: mm) | SubstratMaterial | Maglumat sahypasy (PDF) | ||||
A | B | C | D | H | ||||
10W | 6 GGs | 4.0 | 4.0 | 1.1 | 0.9 | 1.0 | AlN | RFT50N-10WT0404 |
8 GGs | 4.0 | 4.0 | 1.1 | 0.9 | 1.0 | BeO | RFT50-10WT0404 | |
10 GGs | 5.0 | 2.5 | 1.1 | 0.6 | 1.0 | BeO | RFT50-10WT5025 | |
20W | 6 GGs | 4.0 | 4.0 | 1.1 | 0.9 | 1.0 | AlN | RFT50N-20WT0404 |
8 GGs | 4.0 | 4.0 | 1.1 | 0.9 | 1.0 | BeO | RFT50-20WT0404 | |
10 GGs | 5.0 | 2.5 | 1.1 | 0.6 | 1.0 | BeO | RFT50-20WT5025 | |
30W | 6 GGs | 6.0 | 6.0 | 1.1 | 1.1 | 1.0 | AlN | RFT50N-30WT0606 |
60W | 6 GGs | 6.0 | 6.0 | 1.1 | 1.1 | 1.0 | AlN | RFT50N-60WT0606 |
100W | 3GHz | 8.9 | 5.7 | 1.8 | 1.2 | 1.0 | AlN | RFT50N-100WT8957 |
6 GGs | 8.9 | 5.7 | 1.8 | 1.2 | 1.0 | AlN | RFT50N-100WT8957B | |
8 GGs | 9.0 | 6.0 | 1.4 | 1.1 | 1.5 | BeO | RFT50N-100WT0906C | |
150W | 3GHz | 6.35 | 9.5 | 2.0 | 1.1 | 1.0 | AlN | RFT50N-150WT6395 |
9.5 | 9.5 | 2.4 | 1.5 | 1.0 | BeO | RFT50-150WT9595 | ||
4 GGs | 10.0 | 10.0 | 2.6 | 1.7 | 1.5 | BeO | RFT50-150WT1010 | |
6 GGs | 10.0 | 10.0 | 2.6 | 1.7 | 1.5 | BeO | RFT50-150WT1010B | |
200W | 3GHz | 9.55 | 5.7 | 2.4 | 1.0 | 1.0 | AlN | RFT50N-200WT9557 |
9.5 | 9.5 | 2.4 | 1.5 | 1.0 | BeO | RFT50-200WT9595 | ||
4 GGs | 10.0 | 10.0 | 2.6 | 1.7 | 1.5 | BeO | RFT50-200WT1010 | |
10 GGs | 12.7 | 12.7 | 2.5 | 1.7 | 2.0 | BeO | RFT50-200WT1313B | |
250W | 3GHz | 12.0 | 10.0 | 1.5 | 1.5 | 1.5 | BeO | RFT50-250WT1210 |
10 GGs | 12.7 | 12.7 | 2.5 | 1.7 | 2.0 | BeO | RFT50-250WT1313B | |
300W | 3GHz | 12.0 | 10.0 | 1.5 | 1.5 | 1.5 | BeO | RFT50-300WT1210 |
10 GGs | 12.7 | 12.7 | 2.5 | 1.7 | 2.0 | BeO | RFT50-300WT1313B | |
400W | 2 GGs | 12.7 | 12.7 | 2.5 | 1.7 | 2.0 | BeO | RFT50-400WT1313 |
500W | 2 GGs | 12.7 | 12.7 | 2.5 | 1.7 | 2.0 | BeO | RFT50-500WT1313 |
Çip terminaly rezistorlary dürli güýç we ýygylyk talaplaryna esaslanýan degişli ululyklary we substrat materiallary saýlamagy talap edýär.Substrat materiallary, adatça, garşylyk we zynjyr çap etmek arkaly berilý oksidinden, alýumin nitridden we alýumin oksidinden ýasalýar.
Çip terminaly rezistorlary dürli standart ululyklar we güýç opsiýalary bilen inçe filmlere ýa-da galyň filmlere bölmek mümkin.Müşderiniň talaplaryna laýyklykda ýöriteleşdirilen çözgütler üçin biz bilen habarlaşyp bileris.
Faceerüsti gurnama tehnologiýasy (SMT), elektroniki komponent gaplamasynyň umumy görnüşidir, adatça zynjyr tagtalaryny ýerüsti gurnamak üçin ulanylýar.Çip rezistorlary toky çäklendirmek, zynjyryň impedansyny we ýerli naprýa .eniýäni sazlamak üçin ulanylýan rezistoryň bir görnüşidir.
Adaty rozetka rezistorlaryndan tapawutlylykda, patch terminaly rezistorlary rozetkalar arkaly zynjyr tagtasyna birikdirmek zerurlygy ýok, gönüden-göni zynjyr tagtasynyň ýüzüne lehimlenýär.Bu gaplama görnüşi, zynjyr tagtalarynyň ykjamlygyny, öndürijiligini we ygtybarlylygyny ýokarlandyrmaga kömek edýär.
Çip terminaly rezistorlary dürli güýç we ýygylyk talaplaryna esaslanýan degişli ululyklary we substrat materiallary saýlamagy talap edýär.Substrat materiallary, adatça, garşylyk we zynjyr çap etmek arkaly berilý oksidinden, alýumin nitridden we alýumin oksidinden ýasalýar.
Çip terminaly rezistorlary dürli standart ululyklar we güýç opsiýalary bilen inçe filmlere ýa-da galyň filmlere bölmek mümkin.Müşderiniň talaplaryna laýyklykda ýöriteleşdirilen çözgütler üçin biz bilen habarlaşyp bileris.
Kompaniýamyz, professional dizaýn we simulýasiýa ösüşi üçin halkara umumy programma üpjünçiligi HFSS-i kabul edýär.Kuwwat ygtybarlylygyny üpjün etmek üçin ýöriteleşdirilen güýç öndürijilik synaglary geçirildi.Performanceokary takyklyk tor analizatorlary, öndürijilik görkezijilerini barlamak we barlamak üçin ulanyldy, netijede ygtybarly öndürijilik.
Biziň kompaniýamyz dürli ululykdaky, dürli güýçli (dürli güýçli 2W-800W terminal rezistorlary ýaly) we dürli ýygylykly (1G-18GHz terminal rezistorlary ýaly) ýerüsti terminaly rezistorlary işläp düzdi we taslady.Müşderilere aýratyn ulanyş talaplaryna laýyklykda saýlamak we ulanmak üçin hoş geldiňiz.
Faceerüsti gurnama gurşunsyz terminal rezistorlary, ýerüsti gurşunsyz rezistorlar diýlip hem atlandyrylýar, miniatýurlaşdyrylan elektron komponentidir.Onuň häsiýetnamasy, adaty gurşunlaryň ýoklugy, ýöne SMT tehnologiýasy arkaly gönüden-göni zynjyr tagtasyna lehimlenmegi.
Rezistoryň bu görnüşi, adatça kiçi göwrümli we ýeňil agramly, ýokary dykyzlykly zynjyr tagtasynyň dizaýnyny, giňişligi tygşytlamagy we ulgamyň umumy integrasiýasyny gowulandyrmagyň artykmaçlyklaryna eýedir.Gurşun ýetmezçiligi sebäpli, ýokary ýygylykly programmalar, signalyň päsgelçiligini azaltmak we zynjyryň işleýşini gowulandyrmak üçin möhüm parazit induksion we kuwwatlylygy pesdir.
SMT gurşunsyz terminal rezistorlaryny gurnamak prosesi birneme ýönekeý we önümçilik netijeliligini ýokarlandyrmak üçin partiýa gurnamak awtomatlaşdyrylan enjamlar arkaly amala aşyrylyp bilner.Heatylylygyň ýaýramagy gowy, bu iş wagtynda rezistoryň öndürýän ýylylygyny netijeli azaldyp we ygtybarlylygyny ýokarlandyryp biler.
Mundan başga-da, bu rezistoryň ýokary takyklygy bar we berk garşylyk bahalary bilen dürli amaly talaplary kanagatlandyryp biler.Olar passiw komponentler RF izolýatorlary ýaly elektron önümlerinde giňden ulanylýar.Jübütler, koaksial ýükler we beýleki meýdanlar.
Umuman aýdanyňda, SMT gurşunsyz terminal rezistorlary kiçi göwrümi, ýokary ýygylykly öndürijiligi we aňsat gurulmagy sebäpli häzirki zaman elektron dizaýnynyň aýrylmaz bölegine öwrüldi.