önümleri

Önümler

Öňdebaryjy garşylyk

Öňdebaryjy rezistorlar, SMD goşa gurşun rezistorlary diýlip hem atlandyrylýar, elektron zynjyrlarda deňagramlylygy üpjün etmek funksiýasyna eýe bolan passiw komponentlerden biridir.Tok ýa-da naprýa .eniýeniň deňagramly ýagdaýyna ýetmek üçin zynjyrdaky garşylyk bahasyny sazlamak arkaly zynjyryň durnukly işlemegine ýetýär.Elektron enjamlarda we aragatnaşyk ulgamlarynda möhüm rol oýnaýar.

Gurşunly rezistor, goşmaça flanesiz rezistoryň bir görnüşidir, adatça kebşirlemek ýa-da gurnamak arkaly göni zynjyr tagtasyna oturdylýar.Flanesli rezistorlar bilen deňeşdirilende, ýörite berkitme we ýylylyk bölüji gurluşlary talap etmeýär.


Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

Öňdebaryjy garşylyk

Bahalandyrylan kuwwat: 10-400W;

Substrat materiallar: BeO, AlN

Nominal garşylyk bahasy: 100 Ω (10-3000 Ω islege bagly)

Garşylyk çydamlylygy: ± 5%, ± 2%, ± 1%

Temperatura koeffisiýenti: < 150ppm / ℃

Iş temperaturasy: -55 ~ + 150 ℃

ROHS standarty: laýyk gelýär

Ulanylýan standart: Q / RFTYTR001-2022

Gurşunyň uzynlygy: L ​​spesifikasiýa sahypasynda görkezilişi ýaly (müşderiniň talaplaryna laýyklykda düzülip bilner)

AB

Maglumat sahypasy

Kuwwat
W
Potensial
PF ﹫ 100Ω
Ölçegi (birlik : mm) Substrat material Sazlama Maglumat sahypasy (PDF)
A B H G W L
5 / 2.2 1.0 0.4 0.8 0.7 1.5 BeO A RFTXX-05RJ1022
10 2.4 2.5 5.0 1.0 2.0 1.0 3.0 AlN A RFTXXN-10RM2550
1.8 2.5 5.0 1.0 2.0 1.0 3.0 BeO A RFTXX-10RM2550
/ 5.0 2.5 1.0 2.0 1.0 4.0 BeO B RFTXX-10RM5025C
2.3 4.0 4.0 1.0 1.8 1.0 4.0 AlN A RFTXXN-10RM0404
1.2 4.0 4.0 1.0 1.8 1.0 4.0 BeO A RFTXX-10RM0404
20 2.4 2.5 5.0 1.0 2.0 1.0 3.0 AlN A RFTXXN-20RM2550
1.8 2.5 5.0 1.0 2.0 1.0 3.0 BeO A RFTXX-20RM2550
/ 5.0 2.5 1.0 2.0 1.0 4.0 BeO B RFTXX-20RM5025C
2.3 4.0 4.0 1.0 1.8 1.0 4.0 AlN A RFTXXN-20RM0404
1.2 4.0 4.0 1.0 1.8 1.0 4.0 BeO A RFTXX-20RM0404
30 2.9 6.0 6.0 1.0 1.8 1.0 5.0 AlN A RFTXXN-30RM0606
2.6 6.0 6.0 1.0 1.8 1.0 5.0 BeO A RFTXX-30RM0606
1.2 6.0 6.0 3.5 4.3 1.0 5.0 BeO A RFTXX-30RM0606F
60 2.9 6.0 6.0 1.0 1.8 1.0 5.0 AlN A RFTXXN-60RM0606
2.6 6.0 6.0 1.0 1.8 1.0 5.0 BeO A RFTXX-60RM0606
1.2 6.0 6.0 3.5 4.3 1.0 5.0 BeO A RFTXX-60RM0606F
/ 6.35 6.35 1.0 1.8 1.0 5.0 AlN A RFTXXN-60RJ6363
/ 6.35 6.35 1.0 1.8 1.0 5.0 BeO A RFTXX-60RM6363
100 2.6 6.0 6.0 1.0 1.8 1.0 5.0 BeO A RFTXX-60RM0606
2.5 8.9 5.7 1.0 1.5 1.0 5.0 AlN A RFTXXN-100RJ8957
2.1 8.9 5.7 1.5 2.0 1.0 5.0 AlN A RFTXXN-100RJ8957B
3.2 9.0 6.0 1.0 1.8 1.0 5.0 BeO A RFTXX-100RM0906
5.6 10.0 10.0 1.0 1.8 2.5 5.0 BeO A RFTXX-100RM1010
Kuwwat
W
Potensial
PF ﹫ 100Ω
Ölçegi (birlik : mm) Substrat material Sazlama Maglumat sahypasy (PDF)
A B H G W L
150 3.9 9.5 6.4 1.0 1.8 1.4 6.0 BeO A RFTXX-150RM6395
5.6 10.0 10.0 1.0 1.8 2.5 6.0 BeO A RFTXX-150RM1010
200 5.6 10.0 10.0 1.0 1.8 2.5 6.0 BeO A RFTXX-200RM1010
4.0 10.0 10.0 1.5 2.3 2.5 6.0 BeO A RFTXX-200RM1010B
250 5.0 12.0 10.0 1.0 1.8 2.5 6.0 BeO A RFTXX-250RM1210
/ 8.0 7.0 1.5 2.0 1.4 5.0 AlN A RFTXXN-250RJ0708
2.0 12.7 12.7 6.0 6.8 2.5 6.0 BeO A RFTXX-250RM1313K
300 5.0 12.0 10.0 1.0 1.8 2.5 6.0 BeO A RFTXX-300RM1210
2.0 12.7 12.7 6.0 6.8 2.5 6.0 BeO A RFTXX-300RM1313K
400 8.5 12.7 12.7 1.5 2.3 2.5 6.0 BeO A RFTXX-400RM1313
2.0 12.7 12.7 6.0 6.8 2.5 6.0 BeO A RFTXX-400RM1313K

Gysgaça syn

Rezistoryň bu görnüşi goşmaça flanesler ýa-da ýylylyk paýlaýjy gabyklar bilen däl-de, eýsem kebşirlemek, SMD ýa-da çap edilen elektron tagtasynyň üstki monta ((SMD) usullary arkaly gönüden-göni zynjyr tagtasyna oturdylýar.Flanesleriň ýoklugy sebäpli ululygy adatça kiçi bolup, ýokary integrasiýa zynjyrynyň dizaýnyny döredip, ykjam zynjyr tagtalaryna gurnamagy aňsatlaşdyrýar.

Flanes ýylylygy ýaýramazdan gurluşy sebäpli bu rezistor diňe pes güýçli programmalar üçin we ýokary güýçli we ýylylyk ýaýramagy üçin amatly däl.

Müşderileriň aýratyn talaplaryna laýyklykda kompaniýamyz rezistorlary hem sazlap biler.

Gurşunly rezistor, zynjyrlary deňleşdirmek funksiýasyna eýe bolan elektron zynjyrlarda köplenç ulanylýan passiw komponentlerden biridir.

Tok ýa-da naprýa .eniýanyň deňagramly ýagdaýyna ýetmek üçin zynjyrdaky garşylyk bahasyny sazlaýar we şeýlelik bilen zynjyryň durnukly işlemegine ýetýär.

Elektron enjamlarda we aragatnaşyk ulgamlarynda möhüm rol oýnaýar.

Zynjyrda, garşylyk gymmaty deňagramsyz bolanda, tok ýa-da naprýa .eniýe deň paýlanmaz, bu zynjyryň durnuksyzlygyna getirer.

Gurşunly rezistor, zynjyrdaky garşylygy sazlamak bilen tok ýa-da naprýa .eniýäniň paýlanyşyny deňleşdirip biler.

Flanes deňagramlaşdyryjy rezistor, tok ýa-da naprýa .eniýäni dürli şahalara deň paýlamak üçin zynjyrdaky garşylyk bahasyny sazlaýar we şeýlelik bilen zynjyryň deňagramly işlemegine ýetýär.

Gurşunly rezistor deňagramly güýçlendirijilerde, deňagramly köprülerde we aragatnaşyk ulgamlarynda giňden ulanylyp bilner

Gurşunyň garşylyk bahasy belli bir zynjyr talaplaryna we signal aýratynlyklaryna esaslanyp saýlanmalydyr.

Umuman alanyňda, garşylyk gymmaty zynjyryň deňagramlylygyny we durnukly işlemegini üpjün etmek üçin zynjyryň häsiýetli garşylyk bahasyna laýyk gelmelidir.

Gurşunly rezistoryň güýji zynjyryň güýç talaplaryna laýyklykda saýlanmalydyr.Umuman aýdanyňda, rezistoryň güýji kadaly işlemegini üpjün etmek üçin zynjyryň iň ýokary güýjünden ýokary bolmalydyr.

Gurşunly rezistor flanes we goşa gurşun rezistory kebşirlemek arkaly ýygnalýar.

Flanes, zynjyrlara gurnamak üçin niýetlenendir we ulanylanda rezistorlar üçin has gowy ýylylyk ýaýramagyny üpjün edip biler.

Şeýle hem, kompaniýamyz, müşderileriň aýratyn talaplaryna laýyklykda flanesleri we rezistorlary sazlap biler.


  • Öňki:
  • Indiki:

  • Habaryňyzy şu ýere ýazyň we bize iberiň