önümleri

Önümler

Gurluşyň bes edilmegi

Gurşunly togtadyş, zynjyryň soňunda gurlan rezistor bolup, zynjyrda iberilýän signallary siňdirýär we signalyň şöhlelenmeginiň öňüni alýar we şeýlelik bilen zynjyr ulgamynyň geçiriş hiline täsir edýär.

Gurşunly terminler SMD ýeke gurşun terminaly rezistorlary hökmünde hem bellidir.Kebşirlemek arkaly zynjyryň ujunda oturdylýar.Esasy maksat, zynjyryň ujuna iberilen signal tolkunlaryny siňdirmek, signalyň şöhlelenmesiniň zynjyryň täsir etmeginiň öňüni almak we zynjyr ulgamynyň geçiriş hilini üpjün etmek.


Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

Gurluşyň bes edilmegi

Gurluşyň bes edilmegi
Esasy tehniki aýratynlyklar :
Bahalandyrylan kuwwat : 5-800W ;
Substrat materiallar : BeO 、 AlN 、 Al2O3
Nominal garşylyk bahasy : 50Ω
Garşylyga çydamlylyk : ± 5% 、 ± 2% 、 ± 1%
emperatura koeffisiýenti : p 150ppm / ℃
Işleýiş temperaturasy : -55 ~ + 150 ℃
ROHS standarty: laýyk gelýär
Ulanylýan standart: Q / RFTYTR001-2022
Gurşunyň uzynlygy: Maglumat sahypasynda görkezilişi ýaly L.
(müşderiniň talaplaryna laýyklykda düzülip bilner)

Bahalandyrylan1
Kuwwat(W) Quygylyk Ölçegleri (birlik: mm) SubstratMaterial Maglumat sahypasy (PDF)
A B H G W L
5W 6 GGs 4.0 4.0 1.0 1.6 1.0 3.0 Al2O3     RFT50A-05TM0404
11 GGs 1.27 2.54 0.5 1.0 0.8 3.0 AlN     RFT50N-05TJ1225
10W 4 GGs 2.5 5.0 1.0 1.9 1.0 4.0 BeO     RFT50-10TM2550
6 GGs 4.0 4.0 1.0 1.6 1.0 3.0 Al2O3      RFT50A-10TM0404
8 GGs 4.0 4.0 1.0 1.6 1.0 3.0 BeO     RFT50-10TM0404
10 GGs 5.0 3.5 1.0 1.9 1.0 3.0 BeO     RFT50-10TM5035
18 GGs 5.0 2.5 1.0 1.8 1.0 3.0 BeO     RFT50-10TM5023
20W 4 GGs 2.5 5.0 1.0 1.9 1.0 4.0 BeO     RFT50-20TM2550
6 GGs 4.0 4.0 1.0 1.6 1.0 3.0 Al2O3      RFT50N-20TJ0404
8 GGs 4.0 4.0 1.0 1.6 1.0 3.0 BeO     RFT50-20TM0404
10 GGs 5.0 3.5 1.0 1.9 1.0 3.0 BeO     RFT50-20TM5035
18 GGs 5.0 2.5 1.0 1.8 1.0 3.0 BeO     RFT50-20TM5023
30W 6 GGs 6.0 6.0 1.0 1.8 1.0 5.0 AlN     RFT50N-30TJ0606
6.0 6.0 1.0 1.8 1.0 5.0 BeO     RFT50-30TM0606
60W 6 GGs 6.0 6.0 1.0 1.8 1.0 5.0 AlN     RFT50N-60TJ0606
6.0 6.0 1.0 1.8 1.0 5.0 BeO     RFT50-60TM0606
6.35 6.35 1.0 1.8 1.0 5.0 BeO     RFT50-60TJ6363
100W 3GHz 6.35 9.5 1.0 1.6 1.4 5.0 AlN     RFT50N-100TJ6395
8.9 5.7 1.0 1.6 1.0 5.0 AlN     RFT50N-100TJ8957
9.5 9.5 1.0 1.6 1.4 5.0 BeO     RFT50-100TJ9595
4 GGs 10.0 10.0 1.0 1.8 1.4 5.0 BeO     RFT50-100TJ1010
6 GGs 6.35 6.35 1.0 1.8 1.0 5.0 BeO     RFT50-100TJ6363
8.9 5.7 1.0 1.6 1.0 5.0 AlN     RFT50N-100TJ8957B
     
8 GGs 9.0 6.0 1.5 2.0 1.0 5.0 BeO     RFT50-100TJ0906C
150W 3GHz 6.35 9.5 1.0 1.6 1.4 5.0 AlN     RFT50N-150TJ6395
9.5 9.5 1.0 1.6 1.4 5.0 BeO     RFT50-150TJ9595
4 GGs 10.0 10.0 1.0 1.8 1.4 5.0 BeO     RFT50-150TJ1010
6 GGs 10.0 10.0 1.0 1.8 1.4 5.0 BeO     RFT50-150TJ1010B
200W 3GHz 9.5 9.5 1.0 1.6 1.4 5.0 BeO     RFT50-200TJ9595
 
4 GGs 10.0 10.0 1.0 1.8 1.4 5.0 BeO     RFT50-200TJ1010
10 GGs 12.7 12.7 2.0 3.5 2.4 5.0 BeO     RFT50-200TM1313B
250W 3GHz 12.0 10.0 1.5 2.5 1.4 5.0 BeO     RFT50-250TM1210
10 GGs 12.7 12.7 2.0 3.5 2.4 5.0 BeO     RFT50-250TM1313B
300W 3GHz 12.0 10.0 1.5 2.5 1.4 5.0 BeO     RFT50-300TM1210
10 GGs 12.7 12.7 2.0 3.5 2.4 5.0 BeO     RFT50-300TM1313B
400W 2 GGs 12.7 12.7 2.0 3.5 2.4 5.0 BeO     RFT50-400TM1313
500W 2 GGs 12.7 12.7 2.0 3.5 2.4 5.0 BeO     RFT50-500TM1313
800W 1 GGs 25.4 25.4 3.2 4 6 7 BeO     RFT50-800TM2525

Gysgaça syn

Gurluşyň bes edilmegi, dürli ýygylyk talaplaryna we güýç talaplaryna esaslanýan substratyň ululygyny we materiallaryny saýlamak, garşylyk, zynjyr çap etmek we sinterlemek arkaly amala aşyrylýar.Köplenç ulanylýan substrat materiallary esasan berilý oksidi, alýumin nitrid, alýumin oksidi ýa-da has gowy ýylylyk paýlaýyş materiallary bolup biler.

Inçe film prosesine we galyň film prosesine bölünen öňdebaryjy terminasiýa.Belli bir güýç we ýygylyk talaplaryna esaslanyp döredilip, soňra işlenip taýýarlanylýar.Aýratyn zerurlyklaryňyz bar bolsa, özleşdirmek üçin anyk çözgütler bermek üçin satuw işgärlerimize ýüz tutmagyňyzy haýyş edýäris.


  • Öňki:
  • Indiki:

  • Habaryňyzy şu ýere ýazyň we bize iberiň